AMD将在台积电3nm工艺上构建Zen 6 CCD 4nm则用于下一代cIOD和sIOD

  据传 AMD 将在 3 纳米台积电 N3E 代工节点上制作完成 Zen 6 微架构的下一代 CCD（中心复合芯片）。 这是来自 Chiphell 论坛的一组传言的一部分，该论坛对过去有关 AMD 的传言进行了正确的解读。

  明显，AMD 还将为其下一代工艺更新 I/O 芯片，在 4 纳米代工节点（可能是台积电 N4C）上制作这些芯片。 与台积电 N5 比较，台积电 N3E 节点的速度进步了 20%，功耗降低了 30%，逻辑密度进步了约 60%，而该公司现在用于 Zen 5 芯片的台积电 N4P 节点与 N5 比较，逻辑密度和功耗仅有细小进步。

  最风趣的音讯可能是新一代 I/O 芯片。 AMD 将在 4 纳米节点上制作这些芯片，这比当时 I/O 芯片所选用的 6 纳米节点有了明显提高。 在客户端方面，4 纳米工艺将使 AMD 可以为新的 cIOD 供给更新的 iGPU，很可能是依据更新的图形架构，如 RDNA 3.5。 这也将使 AMD 有时机为其台式机处理器装备 NPU。

  此外，AMD 还将有时机更新其要害 I/O 组件，如 DDR5 内存控制器，以支撑 CUDIMM 解锁的更高内存速度。 估计在 PCIe 方面不会有任何更新，由于 AMD 估计将接着运用 Socket AM5，这决议了 cIOD 可以给我们供给 28 条 PCIe Gen 5 通道。 至多，处理器供给的 USB 接口可以终究靠片上主机控制器更新为 USB4。

  在服务器方面，新一代 sIOD 将为时钟驱动程序支撑的 DDR5 内存速度带来急需的提高。 依据 Radeon RX 9000 系列和 RDNA 4 在商场上的体现，AMD 可能会凭仗其下一代 UDNA 架构从头进入发烧级商场，该架构将一起用于图形和核算。 该公司的下一代独立 GPU 将选用台积电 N3E 代工节点。

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